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輻照材料科學基礎:金屬與合金(原書第2版)

輻照材料科學基礎:金屬與合金(原書第2版)

定 價:¥299.00

作 者: [美]蓋里·S.沃斯
出版社: 機械工業(yè)出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

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ISBN: 9787111770831 出版時間: 2025-01-01 包裝: 平裝-膠訂
開本: 16開 頁數: 字數:  

內容簡介

  本書系統地介紹了金屬材料輻照損傷的理論基礎、金屬材料經輻照后的微觀組織與結構特征,以及輻照所產生的宏觀性能變化。主要內容包括輻照損傷事件、原子的位移、損傷級聯、點缺陷的形成與擴散、輻照增強擴散和缺陷反應速率理論、輻照誘發(fā)偏聚、位錯的微觀結構、輻照誘發(fā)的空洞和氣泡、輻照下相的穩(wěn)定性、離子輻照的獨特效應、用離子模擬中子輻照效應、輻照硬化和輻照形變、輻照蠕變和長大、斷裂與脆化、腐蝕與應力腐蝕開裂基礎和輻照對腐蝕和環(huán)境促進開裂的作用。本書匯集了國際上金屬材料輻照領域的長期研究成果,體現了科學性、先進性和系統性的有機結合,對我國核工程領域關于輻照損傷現象的理解和研究具有很強的指導意義,并具有很高的學術價值和實用價值。

作者簡介

  蓋里·S.沃斯(Gary S. Was),美國密歇根大學核工系教授,輻照材料科學研究領域國際知名科學家。

圖書目錄

譯者序
前言
物理常數數值表
本書首字母縮寫術語對照
導論1
參考文獻4
第Ⅰ部分輻照損傷
第1章輻照損傷事件7
1.1中子-原子核交互作用8
1.1.1彈性散射8
1.1.2非彈性散射13
1.1.3(n,2n)反應15
1.1.4(n,γ)反應16
1.2離子-原子交互作用18
1.2.1原子間作用勢18
1.2.2碰撞運動學23
1.3能量損失36
1.3.1能量損失理論36
1.3.2穿越距離范圍的計算46
專用術語符號52
習題54
參考文獻57
第2章原子的位移58
2.1位移的基本理論58
2.1.1位移的概率58
2.1.2原子位移的Kinchin-Pease模型60
2.1.3位移能量62
2.1.4電子能量損失的極限66
2.2K-P位移模型的修正67
2.2.1在能量平衡中Ed的考慮67
2.2.2真實的能量傳輸截面68
2.2.3電子激發(fā)導致的能量損失69
2.2.4結晶性的效應71
2.3位移截面82
2.3.1彈性散射83
2.3.2非彈性散射83
2.3.3(n,2n)和(n,γ)位移84
2.3.4K-P模型的修正和總位移截面84
2.4位移率86
2.5性能變化和輻照劑量的關聯88
2.6帶電粒子輻照產生的位移90
專用術語符號92
習題94
參考文獻96
第3章損傷級聯98
3.1位移平均自由程98
3.2初級反沖譜99
3.3級聯損傷能和級聯體積102
3.4輻照損傷的計算機模擬103
3.4.1二元碰撞近似(BCA)方法103
3.4.2分子動力學(MD)方法106
3.4.3動力學蒙特卡羅(KMC)方法108
3.5級聯發(fā)展的各個階段111
3.6級聯結構內缺陷的行為113
專用術語符號120
習題121
參考文獻122
第4章點缺陷的形成與擴散123
4.1輻照誘發(fā)缺陷的性質123
4.1.1間隙原子123
4.1.2多間隙原子126
4.1.3間隙原子-雜質復合體127
4.1.4空位127
4.1.5多空位128
4.1.6溶質-缺陷和雜質-缺陷團簇128
4.2點缺陷形成的熱力學128
4.3點缺陷的擴散131
4.3.1擴散的宏觀表述131
4.3.2擴散的機制132
4.3.3擴散的微觀表述134
4.3.4跳躍頻率Γ136
4.3.5跳躍頻率ω137
4.3.6擴散系數方程139
4.4關聯的擴散141
4.5多組元體系中的擴散143
4.6沿高擴散速率途徑的擴散144
專用術語符號146
習題147
參考文獻148
第5章輻照增強擴散和缺陷反應速率理論149
5.1點缺陷平衡方程組149
5.1.1情況1:低溫和低阱密度151
5.1.2情況2:低溫和中等阱密度153
5.1.3情況3:低溫和高阱密度154
5.1.4情況4:高溫155
5.1.5點缺陷平衡方程組的特性157
5.1.6簡單點缺陷平衡模型的缺點158
5.1.7存在級聯時的點缺陷平衡方程組158
5.2輻照增強擴散160
5.3缺陷反應162
5.3.1缺陷的產生164
5.3.2復合164
5.3.3缺陷在阱處的損失165
5.3.4阱強度165
5.4反應速率控制的過程165
5.4.1缺陷-空洞交互作用165
5.4.2缺陷-位錯交互作用166
5.5受擴散限制的反應166
5.5.1缺陷-空洞反應166
5.5.2缺陷-位錯反應168
5.6混合速率控制170
5.7缺陷-晶界反應170
5.8共格析出相和溶質171
5.9點缺陷的回復173
專用術語符號175
習題177
參考文獻179
第Ⅱ部分輻照損傷的物理效應
第6章輻照誘發(fā)偏聚183
6.1濃二元合金中的RIS184
6.1.1耦合偏微分方程的求解189
6.1.2間隙原子的鍵合190
6.1.3溶質原子尺寸的影響191
6.1.4溫度的影響 193
6.1.5劑量率的影響194
6.2三元合金中的RIS195
6.3局部成分變化對RIS的影響198
6.4溶質對RIS的影響201
6.5奧氏體合金中RIS的舉例204
6.6鐵素體合金中的RIS206
6.7晶界結構對RIS的影響210
專用術語符號 211
習題213
參考文獻214
第7章位錯的微觀結構215
7.1位錯線215
7.1.1位錯的運動217
7.1.2位錯的描述220
7.1.3位移、應變和應力222
7.1.4位錯的能量224
7.1.5位錯的線張力225
7.1.6作用在位錯上的力226
7.1.7位錯間交互作用230
7.1.8擴展位錯233
7.1.9扭折和割階234
7.2包圍著層錯的位錯環(huán)和堆垛層錯四面體235
7.3缺陷的團簇236
7.3.1形成團簇的缺陷份額237
7.3.2團簇的類型239
7.3.3團簇的可動性240
7.4擴展缺陷246
7.5有效缺陷的產生248
7.6位錯環(huán)的形核和長大249
7.6.1位錯環(huán)的形核249
7.6.2團簇化理論254
7.6.3基于團簇動力學模擬的團簇演化256
7.7位錯環(huán)的長大258
7.8回復261
7.9間隙原子環(huán)微觀結構的演變263
專用術語符號265
習題267
參考文獻270
第8章輻照誘發(fā)的空洞和氣泡271
8.1空洞形核272
8.1.1平衡的空洞尺寸分布272
8.1.2空洞的形核率274
8.1.3惰性氣體的作用280
8.1.4具有產出偏差的空洞形核284
8.2在空洞長大過程中對缺陷阱的處理286
8.2.1阱表面的缺陷吸收率和濃度287
8.2.2點缺陷平衡290
8.3空洞長大291
8.3.1溫度相關性295
8.3.2劑量相關性298
8.3.3位錯作為偏向性阱的作用300
8.3.4劑量率相關性302
8.3.5輻照變量漂移303
8.3.6生成偏差的作用308
8.3.7應力相關性314
8.3.8RIS的作用317
8.3.9空洞點陣319
8.3.10微觀結構和化學成分的作用321
8.3.11反應堆運行歷史的作用330
8.4氣泡331
8.4.1氣泡力學332
8.4.2長大定律334
8.4.3位錯環(huán)崩出造成的氣泡長大336
8.4.4氣泡點陣337
8.4.5氦氣的產生337
專用術語符號340
習題344
參考文獻346
第9章輻照下相的穩(wěn)定性348
9.1輻照誘發(fā)偏聚和輻照誘發(fā)析出348
9.2反沖溶解350
9.3輻照無序化

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