納米級CMOS VLSI電路：可制造性設計

定　價：￥79.00

作　者：	（美）桑迪普·昆杜（Sandip Kundu），（美）阿斯溫·斯雷德哈（Aswin Sreedhar）
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111782704	出版時間：	2024-12-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　本書是可制造性設計的詳細指南，提供了經(jīng)過驗證的、優(yōu)化電路設計的方法，以提高產品的良率、可靠性和可制造性，并減少缺陷和故障。本書首先介紹了CMOS VLSI設計的趨勢，并簡要介紹了可制造性設計和可靠性設計的基本概念；其次介紹了半導體制造的各種工藝步驟，并探討了工藝與器件偏差以及分辨率增強技術；然后深入研究了半導體制造過程中的各種制造缺陷及其對電路的影響，并討論了可靠性問題的物理機制及其影響；最后探討了在電路實現(xiàn)過程中不同階段采用DFM和DFR方法所帶來的變化。本書不僅適合從事半導體設計的工程師和研究人員閱讀，還可以作為相關專業(yè)本科生和研究生的參考教材。

作者簡介

　　桑迪普·昆杜（Sandip Kundu），博士，美國馬薩諸塞大學電子與計算機工程學院教授，IEEE會士，曾在Intel和IBM擔任資深工程師，擔任IEEE Transaction on Computers等期刊的副主編，發(fā)表過130多篇SCI文章，并擁有12項專利。潘彪，北京航空航天大學助理教授，本科和博士畢業(yè)于華中科技大學，主要研究方向為類腦計算芯片設計和存算一體芯片設計，在SCI期刊與國際會議上發(fā)表學術論文10余篇，申請發(fā)明專利7項，已授權2項并已實現(xiàn)成果轉化，主持國家重點研發(fā)計劃子課題1項，國家自然科學基金青年項目1項。

圖書目錄

譯者序
前言
第1章緒論1
1.1技術趨勢：摩爾定律的擴展1
1.1.1器件改進2
1.1.2材料科學的貢獻5
1.1.3深亞波長光刻技術7
1.2可制造性設計11
1.2.1DFM的價值和經(jīng)濟性12
1.2.2制造偏差14
1.2.3基于模型的DFM方法的必要性17
1.3可靠性設計18
1.4本章小結18
參考文獻19
第2章半導體制造技術21
2.1引言21
2.2圖形化工藝22
2.2.1光刻技術23
2.2.2刻蝕技術25
2.3光學圖案形成28
2.3.1照明29
2.3.2衍射30
2.3.3成像透鏡34
2.3.4曝光系統(tǒng)36
2.3.5空間像與還原成像37
2.3.6光刻膠圖形形成38
2.3.7部分相干性40
2.4光刻建模41
2.4.1現(xiàn)象學建模42
2.4.2全物理光刻膠建模44
2.5本章小結45
參考文獻45
第3章CMOS工藝與器件偏差：分析與建模47
3.1引言47
3.2柵極長度偏差52
3.2.1光刻引起的圖案偏差52
3.2.2線邊緣粗糙度：理論與表征61
3.3柵極寬度偏差64
3.4原子波動66
3.5金屬和介質的厚度偏差67
3.6應力引起的偏差71
3.7本章小結73
參考文獻73
第4章可制造性設計理念77
4.1引言77
4.2光刻工藝窗口控制81
4.3分辨率增強技術84
4.3.1光學鄰近效應修正85
4.3.2亞分辨率輔助圖形88
4.3.3相移掩膜90
4.3.4離軸照明94
4.4基于DFM的物理設計96
4.4.1幾何設計規(guī)則96
4.4.2限制性設計規(guī)則96
4.4.3基于模型的規(guī)則檢查和適印性驗證98
4.4.4可制造性感知的標準單元設計99
4.4.5緩解天線效應103
4.4.6基于DFM的布局和布線105
4.5先進光刻技術108
4.5.1雙重圖形技術108
4.5.2反演光刻技術112
4.5.3其他先進技術116
4.6本章小結116
參考文獻116
第5章產業(yè)界的計量方法、缺陷及彌補120
5.1引言120
5.2工藝缺陷122
5.2.1誤差來源分類123
5.2.2缺陷相互作用和電效應125
5.2.3顆粒缺陷的模型化126
5.2.4改善關鍵區(qū)域的版圖方法131
5.3圖形缺陷133
5.3.1圖形缺陷類型133
5.3.2圖形密度問題134
5.3.3圖形缺陷建模的統(tǒng)計方法135
5.3.4減少圖形缺陷的版圖方法139
5.4計量141
5.4.1測量中的精度和允許偏差141
5.4.2CD計量142
5.4.3套刻對準計量146
5.4.4其他在線計量148
5.4.5原位計量149
5.5失效分析技術150
5.5.1無損檢測技術151
5.5.2有損檢測技術152
5.6本章小結153
參考文獻153
第6章缺陷建模與提高良率技術157
6.1引言157
6.2缺陷對電路行為影響的建模158
6.2.1缺陷故障關系159
6.2.2缺陷故障模型的作用160
6.2.3測試流程166
6.3提高良率167
6.3.1容錯168
6.3.2避錯177
6.4本章小結180
參考文獻181
第7章物理設計和可靠性183
7.1引言183
7.2電遷移186
7.3熱載流子效應188
7.3.1熱載流子注入機制188
7.3.2器件損壞特性190
7.3.3時間依賴性介電擊穿191
7.3.4緩解由HCI引起的退化191
7.4負偏置溫度不穩(wěn)定性192
7.4.1反應擴散模型193
7.4.2靜態(tài)和動態(tài)NBTI194
7.4.3設計技術195
7.5靜電放電196
7.6軟錯誤198
7.6.1軟錯誤的類型198
7.6.2軟錯誤率198
7.6.3可靠性的SER緩解和糾正199
7.7可靠性篩選和測試199
7.8本章小結200
參考文獻200
第8章可制造性設計：工具和方法論203
8.1引言203
8.2集成電路設計流程中的DFx204
8.2.1標準單元設計204
8.2.2庫表征205
8.2.3布局、布線和冗余填充206
8.2.4驗證、掩膜合成和檢驗207
8.2.5工藝與器件仿真207
8.3電氣DFM208
8.4統(tǒng)計設計與投資回報率208
8.5優(yōu)化工具的DFM210
8.6DFM感知的可靠性分析212
8.7面向未來技術節(jié)點的DFx213
8.8本章小結214
參考文獻214