新型固態(tài)pH傳感器的研究

　　本文針對AlInN/GaN HEMT器件性能的熱退化問題，提出添加背勢壘層和自支撐GaN襯底的解決思路，并通過數(shù)值模擬的方法進行了驗證優(yōu)化。另通過模擬和實驗研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN HEMT的pH值傳感器性能并對感測區(qū)尺寸進行了優(yōu)化，證明GaN基器件具有優(yōu)異的pH值探測性能。

　　董燕，黑龍江人，黑龍江大學講師，主要從事微電子器件相關(guān)研究工作，包括器件設計、封裝、測試分析等。共發(fā)表SCI收錄論文10篇，國家發(fā)明專利三項，核心期刊5篇。