芯片制造半導(dǎo)體工藝與設(shè)備

定　價(jià)：￥69.00

作　者：	陳譯，陳鋮穎，張宏怡著
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111688815	出版時(shí)間：	2022-01-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	188	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《芯片制造：半導(dǎo)體工藝與設(shè)備》著重介紹了半導(dǎo)體制造設(shè)備，并從實(shí)踐的角度出發(fā)，選取了具有代表性的設(shè)備進(jìn)行講解。為了讓讀者加深對(duì)各種設(shè)備用途的理解，采用了一邊闡述半導(dǎo)體制造工藝流程、一邊說(shuō)明各制造工藝中所使用的制造設(shè)備及其結(jié)構(gòu)和原理的講解方式，力求使讀者能夠系統(tǒng)性地了解整個(gè)半導(dǎo)體制造的體系。《芯片制造：半導(dǎo)體工藝與設(shè)備》可作為從事集成電路工藝與設(shè)備方面工作的工程技術(shù)人員，以及相關(guān)研究人員的參考用書(shū)，也可作為高等院校微電子、集成電路相關(guān)專(zhuān)業(yè)的規(guī)劃教材和教輔用書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　陳譯，副教授，男，廈門(mén)理工學(xué)院，獲得日本國(guó)立琉球大學(xué)電氣電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)博士學(xué)位，廈門(mén)市雙百人才，于2010年4月進(jìn)入日本三墾電氣株式會(huì)社，從事功率半導(dǎo)體器件（IGBT、MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，經(jīng)歷了先進(jìn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的重要過(guò)程，參與或領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)研發(fā)了30個(gè)品種以上的功率器件并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。其主持研制的IGBT、MOSFET芯片已賣(mài)出數(shù)百萬(wàn)片（其中IGBT芯片主要供貨給格力電器），總產(chǎn)值超過(guò)20億日元。截止目前，擁有授權(quán)和受理發(fā)明專(zhuān)利50余項(xiàng)，實(shí)用新型10余項(xiàng)，發(fā)表科研論文15篇。在面向工業(yè)和車(chē)規(guī)級(jí)的高端功率器件研發(fā)及量產(chǎn)方面經(jīng)驗(yàn)豐富，尤其擅長(zhǎng)高端IGBT、Split-gate MOSFET、SiC功率器件的研究。主要成果： 1）發(fā)明新型結(jié)構(gòu)溝槽肖特基二極管，綜合性能比市面通用量產(chǎn)產(chǎn)品高出20%，并申報(bào)多項(xiàng)日本發(fā)明專(zhuān)利； 2）設(shè)計(jì)完成基于第六代溝槽場(chǎng)終止型（Field Stop）IGBT，并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)； 3）設(shè)計(jì)完成深槽分裂柵結(jié)構(gòu)IGBT，綜合性能領(lǐng)先于目前國(guó)際*高水平并實(shí)現(xiàn)工程流片成功； 4）主持完成豐田汽車(chē)高可靠性車(chē)載應(yīng)用功率MOSFET設(shè)計(jì)和制造； 5）設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)1200V級(jí)SiC MOSFET器件并實(shí)現(xiàn)工程流片成功。上述均屬于國(guó)內(nèi)開(kāi)創(chuàng)性或者領(lǐng)先水平的成果，綜合性能達(dá)到甚至領(lǐng)先于國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品，具有巨大的技術(shù)和商業(yè)價(jià)值。

圖書(shū)目錄

第1章導(dǎo)論1
1.1集成電路的發(fā)展歷史1
1.1.1世界上第一個(gè)集成電路1
1.1.2摩爾定律5
1.1.3集成電路的產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律與節(jié)點(diǎn)7
1.1.4摩爾定律的終結(jié)或超摩爾時(shí)代11
1.2集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展15
1.2.1集成電路產(chǎn)業(yè)鏈15
1.2.2晶圓代工17
1.2.3集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變遷17
參考文獻(xiàn)20

第2章集成電路制造工藝及生產(chǎn)線(xiàn)22
2.1集成電路制造技術(shù)22
2.1.1芯片制造22
2.1.2工藝劃分25
2.1.3工藝技術(shù)路線(xiàn)25
2.2集成電路生產(chǎn)線(xiàn)發(fā)展的歷程與設(shè)計(jì)27
2.2.1國(guó)外集成電路生產(chǎn)線(xiàn)發(fā)展情況27
2.2.2國(guó)內(nèi)集成電路生產(chǎn)線(xiàn)發(fā)展情況29
2.2.3集成電路生產(chǎn)線(xiàn)的工藝設(shè)計(jì)30
2.3集成電路生產(chǎn)線(xiàn)的潔凈系統(tǒng)32
2.3.1潔凈室系統(tǒng)32
2.3.2空調(diào)系統(tǒng)33
2.3.3循環(huán)冷卻水系統(tǒng)35
2.3.4真空系統(tǒng)36
2.3.5排氣系統(tǒng)37
2.4集成電路生產(chǎn)線(xiàn)的發(fā)展趨勢(shì)38
參考文獻(xiàn)39

第3章晶圓制備與加工41
3.1簡(jiǎn)介41
3.2硅材料42
3.2.1為什么使用硅材料42
3.2.2晶體結(jié)構(gòu)與晶向42
3.3晶圓制備44
3.3.1直拉法與直拉單晶爐45
3.3.2區(qū)熔法與區(qū)熔單晶爐46
3.4晶圓加工與設(shè)備48
3.4.1滾磨49
3.4.2切斷50
3.4.3切片51
3.4.4硅片退火54
3.4.5倒角55
3.4.6研磨55
3.4.7拋光57
3.4.8清洗與包裝59
參考文獻(xiàn)60

第4章加熱工藝與設(shè)備61
4.1簡(jiǎn)介61
4.2加熱單項(xiàng)工藝62
4.2.1氧化工藝62
4.2.2擴(kuò)散工藝64
4.2.3退火工藝65
4.3加熱工藝的硬件設(shè)備66
4.3.1擴(kuò)散設(shè)備66
4.3.2高壓氧化爐69
4.3.3快速退火處理設(shè)備70
參考文獻(xiàn)73

第5章光刻工藝與設(shè)備74
5.1簡(jiǎn)介74
5.2光刻工藝75
5.3光掩模與光刻膠材料77
5.3.1光掩模的發(fā)展77
5.3.2光掩模基板材料78
5.3.3勻膠鉻版光掩模79
5.3.4移相光掩模80
5.3.5極紫外光掩模81
5.3.6光刻膠82
5.3.7光刻膠配套試劑83
5.4光刻設(shè)備84
5.4.1光刻技術(shù)的發(fā)展歷程84
5.4.2接觸/接近式光刻機(jī)86
5.4.3步進(jìn)重復(fù)光刻機(jī)87
5.4.4步進(jìn)掃描光刻機(jī)89
5.4.5浸沒(méi)式光刻機(jī)92
5.4.6極紫外光刻機(jī)93
5.4.7電子束光刻系統(tǒng)95
5.4.8納米電子束直寫(xiě)系統(tǒng)96
5.4.9晶圓片勻膠顯影設(shè)備98
5.4.10濕法去膠系統(tǒng)101
參考文獻(xiàn)103

第6章刻蝕工藝及設(shè)備105
6.1簡(jiǎn)介105
6.2刻蝕工藝106
6.2.1濕法刻蝕和清洗106
6.2.2干法刻蝕和清洗 108
6.3濕法刻蝕與清洗設(shè)備110
6.3.1槽式晶圓片清洗機(jī)110
6.3.2槽式晶圓片刻蝕機(jī)112
6.3.3單晶圓片濕法設(shè)備113
6.3.4單晶圓片清洗設(shè)備114
6.3.5單晶圓片刻蝕設(shè)備116
6.4干法刻蝕設(shè)備117
6.4.1等離子體刻蝕設(shè)備的分類(lèi)117
6.4.2等離子體刻蝕設(shè)備120
6.4.3反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備122
6.4.4磁場(chǎng)增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備123
6.4.5電容耦合等離子體刻蝕設(shè)備125
6.4.6電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備127
參考文獻(xiàn)129

第7章離子注入工藝及設(shè)備131
7.1簡(jiǎn)介131
7.2離子注入工藝132
7.2.1基本原理132
7.2.2離子注入主要參數(shù)135
7.3離子注入設(shè)備137
7.3.1基本結(jié)構(gòu)137
7.3.2設(shè)備技術(shù)指標(biāo)145
7.4損傷修復(fù)148
參考文獻(xiàn)148

第8章薄膜生長(zhǎng)工藝及設(shè)備149
8.1簡(jiǎn)介149
8.2薄膜生長(zhǎng)工藝151
8.2.1物理氣相沉積及濺射工藝151
8.2.2化學(xué)氣相沉積工藝152
8.2.3原子層沉積工藝152
8.2.4外延工藝154
8.3薄膜生長(zhǎng)設(shè)備154
8.3.1真空蒸鍍?cè)O(shè)備154
8.3.2直流物理氣相沉積設(shè)備156
8.3.3射頻物理氣相沉積設(shè)備158
8.3.4磁控濺射設(shè)備159
8.3.5離子化物理氣相沉積設(shè)備161
8.3.6常壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備163
8.3.7低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備164
8.3.8等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備164
8.3.9原子層沉積設(shè)備165
8.3.10分子束外延系統(tǒng)167
8.3.11氣相外延系統(tǒng)168
8.3.12液相外延系統(tǒng)169
參考文獻(xiàn)171

第9章封裝工藝及設(shè)備172
9.1簡(jiǎn)介172
9.2芯片級(jí)封裝173
9.2.1圓片減薄機(jī)173
9.2.2砂輪劃片機(jī)174
9.2.3激光劃片機(jī)178
9.3元器件級(jí)封裝181
9.3.1粘片機(jī)181
9.3.2引線(xiàn)鍵合機(jī)182
9.4板卡級(jí)封裝185
9.4.1塑封機(jī)185
9.4.2電鍍及浸焊生產(chǎn)線(xiàn)186
9.4.3切筋成型機(jī)187
9.4.4激光打印設(shè)備187
參考文獻(xiàn)188