超大規(guī)模集成電路先進光刻理論與應(yīng)用

　　光刻技術(shù)是所有微納器件制造的核心技術(shù)。在集成電路制造中，正是由于光刻技術(shù)的不斷提高才使得摩爾定律得以繼續(xù)。本書覆蓋現(xiàn)代光刻技術(shù)的重要方面，包括設(shè)備、材料、仿真（計算光刻）和工藝。在設(shè)備部分，對業(yè)界使用的主流設(shè)備進行剖析，介紹其原理結(jié)構(gòu)、使用方法、和工藝參數(shù)的設(shè)置。在材料部分，介紹了包括光刻膠、抗反射涂層、抗水涂層、和使用旋圖工藝的硬掩膜等材料的分子結(jié)構(gòu)、使用方法，以及必須達到的性能參數(shù)。本書按照仿真技術(shù)發(fā)展的順序，系統(tǒng)介紹基于經(jīng)驗的光學鄰近效應(yīng)修正、基于模型的光學鄰近效應(yīng)修正、亞曝光分辨率的輔助圖形、光源-掩模版共優(yōu)化技術(shù)和反演光刻技術(shù)。如何控制套刻精度是光刻中公認的技術(shù)難點，本書有一章專門討論曝光對準系統(tǒng)和控制套刻精度的方法。另外，本書特別介紹新光刻工藝研究的方法論、光刻工程師的職責，以及如何協(xié)調(diào)各方資源保證研發(fā)進度。

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