阻變存儲器：器件、材料、機理、可靠性及電路

前言第1章　RRAM概述　參考文獻(xiàn)第2章　2D RRAM的存儲單元結(jié)構(gòu)　2.1　1T1R單元　　2.1.1　單元結(jié)構(gòu)　　2.1.2　單極和雙極操作　2.2　采用二極管作為選通器件的單元　　2.2.1　單極操作的1D1R單元　　2.2.2　采用雙向二極管作為選通器件的RRAM單元　2.3　自整流RRAM單元　　2.3.1　混合型RRAM存儲單元　　2.3.2　互補型RRAM器件　參考文獻(xiàn)第3章　RRAM的阻變機理　3.1　導(dǎo)電細(xì)絲的類型及其相應(yīng)的阻變過程　　3.1.1　金屬導(dǎo)電絲型RRAM　　　3.1.2　氧空位導(dǎo)電絲RRAM　　3.2　RRAM的FORMING過程　3.3　導(dǎo)電細(xì)絲的微縮化及其對性能的影響　　參考文獻(xiàn)第4章　影響RRAM讀寫性能的主要因素和優(yōu)化方法　4.1　降低RESET電流的方法　　4.1.1　構(gòu)建多層結(jié)構(gòu)　　4.1.2　通過控制限流降低功耗　4.2　操作算法提高RRAM讀寫特性　　4.2.1　自適應(yīng)寫操作算法提高寫成功率和Roff／Ron窗口　　4.2.2　操作算法提高參數(shù)一致性　4.3　工藝方法提高讀寫參數(shù)一致性　　4.3.1　電極效應(yīng)　　4.3.2　插入緩沖層和構(gòu)建雙層結(jié)構(gòu)　　4.3.3　嵌入金屬來控制導(dǎo)電通路　參考文獻(xiàn)第5章　RRAM的可靠性　5.1　保持特性當(dāng)前的測試方法　5.2　保持特性的模型和改善方法　　5.2.1　RRAM保持特性失效模型　　5.2.2　通過形成高密度的氧空位CF改善保持特性　　5.2.3　通過動態(tài)自適應(yīng)寫操作算法改善保持特性　5.3　耐久性模型和改善方法　　5.3.1　耐久性失效模型　　5.3.2　高耐久性的器件結(jié)構(gòu)　　5.3.3　通過編程算法提高耐久性　參考文獻(xiàn)第6章　提高RRAM讀寫速度及帶寬的電路技術(shù)　6.1　提高讀速度的電路技術(shù)　　6.1.1　基于反饋調(diào)節(jié)的位線偏壓方案　　6.1.2　PTADB方案　6.2　提高讀帶寬的電路技術(shù)　　6.2.1　片上所有sA同時工作　　6.2.2　交替頁訪問并結(jié)合DDR接口輸出　6.3　加快寫速度及帶寬的電路技術(shù)　參考文獻(xiàn)第7章　提高RRAM讀寫良率和可靠性的電路技術(shù)　7.1　提高讀良率的電路技術(shù)　　7.1.1　PSRC方案　　7.1.2　SARM方案　　7.1.3　BDD-CSA方案　　7.1.4　TABB方案　　7.1.5　SSC-CSA方案　7.2　提高寫良率降低寫功耗的電路技術(shù)　　7.2.1　自適應(yīng)寫模式　　7.2.2　帶反饋的自定時寫方案　7.3　提高耐久性和保持特性的電路技術(shù)　　7.3.1　兩步FORMING方案　　7.3.2　阻值驗證寫方案　　7.3.3　動態(tài)自適應(yīng)寫方法　參考文獻(xiàn)第8章　3D RRAM集成及電路技術(shù)　8.1　傳統(tǒng)交叉點架構(gòu)的漏電通路及功耗問題　8.2　基于lTXR的3D RRAM　　　8.2.1　lTXR單元及陣列架構(gòu)　　8.2.2　克服寫干擾的編程算法　　8.2.3　克服讀干擾的措施　8.3　基于1D1R單元的3D RRAM　　8.3.1　陣列架構(gòu)　　8.3.2　可以補償漏電流來精確檢測阻態(tài)變化的寫電路技術(shù)　　8.3.3　采用位線電容隔離來加快sA翻轉(zhuǎn)的讀電路　8.4　采用雙向二極管作為選通器件的3D RRAM　　8.4.1　陣列架構(gòu)　　8.4.2　lBDlR陣列的編程條件　　8.4.3　采用冗余單元的多位寫架構(gòu)　8.5　具有較低光刻成本的豎直3D堆疊方式　　8.5.1　單元和陣列的截面圖　　8.5.2　光刻方面的成本優(yōu)勢　參考文獻(xiàn)