納米科學與技術：自旋電子學導論（下卷）

《納米科學與技術：自旋電子學導論（下卷）》由工作在自旋電子學研究領域里的國內(nèi)外50余位學者撰寫而成。《納米科學與技術：自旋電子學導論（下卷）》分兩卷、共28章，各章均由該領域富有研究經(jīng)驗的知名專家負責，較全面地介紹和論述了目前自旋電子學研究領域中的各個重要研究方向及其進展，并重點關注自旋電子學的關鍵材料探索、物理效應研究及其原理型器件的設計開發(fā)和實際應用。
　　《納米科學與技術：自旋電子學導論（下卷）》適合物理（特別是自旋電子學）及相關領域的大學本科高年級學生、研究生、教師、工程師和科研工作者等參考閱讀。

韓秀峰，中國科學院物理研究所研究員、博士生導師、課題組組長。1984年畢業(yè)于蘭州大學物理系，1993年在吉林大學獲博士學位。主要從事“自旋電子學材料、物理和器、件”研究，包括：磁性隧道結及隧穿磁電阻（TMR）效應、多種鐵磁復合隧道結（MTJ）材料、新型磁隨機存取存儲器（MRAM）、磁邏輯、自旋納米振蕩器、自旋晶體管、磁電阻磁敏傳感器等原理型器件的研究。已發(fā)表SCI學術論文200余篇，獲得中國發(fā)明專利授權50余項和國際專利授權5項。與合作者研制成功一種新型納米環(huán)磁隨機存取存儲器（Nanoring MRAM）原理型演示器件、四種磁電阻磁敏傳感器原理型演示器件；其中“納米環(huán)磁性隧道結及新型納米環(huán)磁隨機存取存儲器的基礎性研究”獲2013年度北京市科學技術獎一等獎。