負電子親和勢(NEA)半導體光電陰極的出現,是 光電陰極和以光電陰極為基礎的光電子器件及儀器發(fā)展的重要突破。從此,光電 陰極的研發(fā)告別了完全以經 驗為基礎的局面,進入了以半導體帶隙工程為指導,進行科學設計的新階段。GaAs—NEA光電陰極,以及后來發(fā)展的由其他半導體 制成的各種NEA光電陰極的出現,不僅有力地推動了夜視技術的發(fā)展,而且使 光電陰極的應用范圍擴展到高 能物理、天文、航空航天、生物化學等領域。 《負電子親和勢光電陰極及應用(精)》(作者賈欣志)以GaAs—NEA光電陰極為重點,全面介紹半導體 NEA光電陰極的發(fā)展, 各種半導體NEA光電陰極的工作原理、制備技術、性能特點及應用等內容。 《負電子親和勢光電陰極及應用(精)》適合從事電子物理、電真空物理、光電成像和夜視技術領域的 科技人員, 高等學校教師,大學生和研究生閱讀參考。