半導體物理學

《半導體科學與技術(shù)叢書》出版說明
重印前言
序
第一章  半導體中的電子狀態(tài)
  §1.能帶的形成
  §2.電子在外力下的運動和有效質(zhì)量
  §3.導帶、滿帶和空穴
  §4.雜質(zhì)和缺陷能級
  第一章參考文獻
第二章  電子和空穴的統(tǒng)計分布
  §5.費米能級和電子的統(tǒng)計分布
  §6.本征激發(fā)和雜質(zhì)電離
  §7.普遍情況下統(tǒng)計分布的分析
  §8.載流子的簡并化
  §9.化學勢和質(zhì)量作用定律
  第二章參考文獻
第三章  電磁場中的遷移現(xiàn)象
  §10.載流子的散射
  §11.電導的簡單分析
  §12.霍爾效應(yīng)的簡單分析
  §13.簡單分析的局限性和結(jié)果的修正
  §14.電導率的統(tǒng)計理論
  §15.遷移率
  §16.一種載流子霍爾效應(yīng)的統(tǒng)計理論
  §17.兩種載流子的霍爾系數(shù)
  §18.半導體的磁阻
  §19.實驗結(jié)果與半導體某些物理量的測定
  §20.低溫的霍爾效應(yīng)和電導
  第三章參考文獻
第四章  半導體的熱導率、溫差電現(xiàn)象和熱磁效應(yīng)
  §21.熱傳導
  §22.溫差電現(xiàn)象的一般描述和熱力學關(guān)系
  §23.半導體的溫差電動勢率
  §24.電能與熱能的轉(zhuǎn)換，溫差電發(fā)電機，制冷器與發(fā)熱器
  §25.熱磁效應(yīng)
  第四章參考文獻
第五章  非平衡載流子
  §26.少數(shù)載流子的注入和檢驗
  §27.壽命和測量方法
  §28.非平衡載流子的擴散
  §29.光擴散電勢差和光磁效應(yīng)
  §30.表面對壽命的影響
  §31.非平衡載流子的漂移和擴散
  §32.復合過程的性質(zhì)和直接復合的理論
  §33.復合中心理論
  §34.陷阱效應(yīng)
  第五章參考文獻
第六章  半導體表面
  §35.外電場(或附著電荷)和表面勢
  §36.功函數(shù)和接觸電勢
  §37.表面電導和場效應(yīng)
  §38.表面能級
  §39.表面結(jié)構(gòu)和表面過程的弛豫現(xiàn)象
  第六章參考文獻
第七章  半導體和金屬的接觸
  §40.接觸勢壘
  §41.擴散理論和伏安特性曲線
  §42.兩極管理論
  §43.理論的檢驗和修正
  §44.阻擋層中非平衡載流子效應(yīng)
  第七章參考文獻
第八章  pn結(jié)
  §45.pn結(jié)的勢壘和伏安特性
  §46.pn結(jié)的電容
  §47.電擊穿現(xiàn)象
  第八章參考文獻
第九章  半導體中光的吸收
  §48.本征吸收
  §49.其他的吸收過程
  §50.晶格振動對電子躍遷的影響
  第九章參考文獻
第十章  光電導
  §51.半導體的光電導
  §52.直線性和拋物線性光電導
  §53.復合和陷阱作用
  §54.本征光電導的光譜分布
  §55.雜質(zhì)光電導
  第十章參考文獻
附錄
  I.元素周期表
  II.物理常數(shù)
  III.半導體數(shù)據(jù)
  IV.各種能量及其相應(yīng)溫度、相應(yīng)波長的數(shù)量級
  V.單位變換
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