納米電化學(xué)

第一部分 基本原理
1 電化學(xué)對(duì)納米技術(shù)的影響
GeorgiStaikov，AlexanderMilchev
1.1 引言
1.2 宏觀相與微觀相的熱力學(xué)性質(zhì)
1.2.1 熱力學(xué)平衡態(tài)
1.2.2 電化學(xué)過(guò)飽和與欠飽和
1.2.3 晶核形成的熱力學(xué)功函
1.3 電化學(xué)結(jié)晶過(guò)程原子成核動(dòng)力學(xué)
1.4 納米簇電極表面和空間分布能態(tài)
1.5 納米粒子和超薄膜的電化學(xué)生長(zhǎng)
1.5.1 三維納米簇生長(zhǎng)
1.5.2 二維納米簇生長(zhǎng)與欠電位沉積（LJPD）單層膜形成
1.6 電化學(xué)結(jié)晶過(guò)程與納米構(gòu)化定位化
1.7 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
2 電化學(xué)低維金屬相形成的計(jì)算機(jī)模擬
MarceloM.Mariscal，EzequielP.M.Leiva
2.1 引言
2.2 分子動(dòng)力學(xué)模擬
2.2.1 概述
2.2.2 金屬表面納米化
2.3 蒙特卡洛法
2.3.1 原理概述
2.3.2 非晶格模型
2.3.3 晶格模型
2.4 布朗和朗之萬(wàn)動(dòng)力學(xué)模擬
2.4.1 概述
2.4.2 在電化學(xué)納米結(jié)構(gòu)化與晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用
2.5 結(jié)論與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
3 金屬的模板法電沉積與STM探針技術(shù)制備零維納米孔洞
WolfgangKautek
3.1 引言
3.2 Bottom.up模板法
3.3 Top-downSPM方法
3.4 低維相熱力學(xué)
3.5 STM探針技術(shù)制備納米孔洞的電沉積實(shí)驗(yàn)
3.6 Bi在Au上的欠電位行為
3.7 零維Bi沉積
3.8 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
4 離子液體在金屬與半導(dǎo)體納米尺度電化學(xué)結(jié)晶過(guò)程中的應(yīng)用
Walter Freyland，ChitradurgaL.Aravinda，Ditimar’Borissov
4.1 引言
4.2 離子液體的電化學(xué)和界面化學(xué)特性
4.3 離子液體的變溫電化學(xué)掃描探針顯微技術(shù)（SPM）研究
4.4 金屬欠電位沉積：成相及相變
4.4.1 銀在金（111）表面電沉積：水溶液與離子液體電解質(zhì)
4.4.2 鋅在金（111）表面沉積：亞穩(wěn)態(tài)分解和表面合金化
4.5 金屬、合金以及半導(dǎo)體的過(guò)電位沉積
4.5.1 Co-AI、N_-AI和Ti-AI合金的沉積
4.5.2 A1.Sb化合物半導(dǎo)體的納米級(jí)生長(zhǎng)
4.6 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
5 超共形膜生長(zhǎng)
ThomasP.Moffat，DanielWheeler，Daniel、Josell
5.1 引言
5.2 競(jìng)爭(zhēng)吸附：抑制與加速
5.3 金屬吸附動(dòng)力學(xué)中競(jìng)爭(zhēng)吸附影響的量化
5.4 特征填充
5.5 形變模擬
5.6 穩(wěn)定性分析
5.7 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
第二部分 納米結(jié)構(gòu)的制備與特性
6 應(yīng)用STM針尖納米電極實(shí)現(xiàn)金屬的原位電化學(xué)結(jié)晶
WernerSchindler，PhilippHugelmann
6.1 納米尺度的電化學(xué)
6.2 突跳金屬沉積
6.3 掃描電化學(xué)顯微鏡
6.4 STM探針電化學(xué)納米電極
6.5 STM探針電化學(xué)納米電極的金屬電沉積
6.6 通過(guò)STM探針電化學(xué)納米電極進(jìn)行金屬溶解
6.7 納米電極探針形狀和表面質(zhì)量的重要性
6.8 單一金屬納米結(jié)構(gòu)的微區(qū)電沉積
6.9 總結(jié)與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
7 有序陽(yáng)極多孔氧化鋁層制備及其在納米技術(shù)中的應(yīng)用
HidetakaAsoh，SachikoOno
7.1 引言
7.2 自有序陽(yáng)極多孔氧化鋁
7.2.1 概述
7.2.2 陽(yáng)極多孔氧化鋁中孔隙形成的自有序控制因素
7.2.3 恒壓下典型的電流一時(shí)間暫態(tài)過(guò)程
7.2.4 高形成電壓下陽(yáng)極氧化鋁孔隙率的變化
7.2.5 典型自有序行為
7.2.6 高電流／高電場(chǎng)強(qiáng)度陽(yáng)極化過(guò)程
7.2.7 新的自有序條件
7.3 理想的有序多孔陽(yáng)極氧化鋁
7.3.1 兩步陽(yáng)極過(guò)程
7.3.2 理想有序多孔陽(yáng)極氧化鋁
7.3.3 方形單元排列
7.3.4 方形單元排列細(xì)節(jié)觀察
7.4 三維周期性的多孔陽(yáng)極氧化鋁
7.4.1 通道結(jié)構(gòu)調(diào)制
7.4.2 二維／三維復(fù)合多孔氧化鋁
7.5 納米多孔氧化鋁在制備納米結(jié)構(gòu)模板中的應(yīng)用
7.5.1 納米方式：傳統(tǒng)平版印刷術(shù)與天然平版印刷術(shù)
7.5.2 AI在Si基體上的陽(yáng)極過(guò)程
7.5.3 應(yīng)用陽(yáng)極多孔氧化鋁作為模板的si表面的天然平版印刷術(shù)
7.6 總結(jié)與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
8 金屬納米接觸點(diǎn)和納米帶的電化學(xué)制備
FangChen，N.J.Tao
8.1 引言
8.2 電化學(xué)制備金屬納米接觸點(diǎn)
8.2.1 STM／AFM輔助方法
8.2.2 在支撐面電極上沉積
8.2.3 自終止方法
8.2.4 電化學(xué)蝕刻
8.2.5 采用納米孔制備納米點(diǎn)
8.2.6 固態(tài)電化學(xué)反應(yīng)
8.2.7 金屬納米點(diǎn)特性
8.3 電化學(xué)制備金屬納米帶
8.3.1 AC線圈檢測(cè)系統(tǒng)
8.3.2 DC線圈監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
8.3.3 電化學(xué)雙電層反饋系統(tǒng)
8.3.4 高頻阻抗反饋系統(tǒng)
8.3.5 納米帶應(yīng)用
8.4 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
9 電化學(xué)階邊修飾法（ESED）制備納米線
ReginaldM.Penner
9.1 引言
9.2 概述
9.3 直接納米線電沉積
9.4 循環(huán)電沉積／溶出法制備化合物納米線
……
致謝
參考文獻(xiàn)