CR、DR成像技術學

第一篇 數(shù)字X線成像的基本理論
第一章 物質(zhì)基本結(jié)構(gòu)及其性質(zhì)
第一節(jié) 原子核及核外結(jié)構(gòu)
一、原子
二、原子核
三、核外結(jié)構(gòu)
第二節(jié) 原子能級
第三節(jié) 能量與輻射
一、概述
二、能量
三、輻射
四、電磁波譜
第四節(jié) 能量放射
第二章 X線的產(chǎn)生及其特性
第一節(jié) X線的產(chǎn)生
一、X線產(chǎn)生的條件
二、X線產(chǎn)生的過程
第二節(jié) X線的輻射譜線
一、韌致放射（連續(xù)放射）
二、標識放射（特征放射）
三、影響X線輻射譜線的因素
第三節(jié) X線的穿透作用
一、概述
二、光子的射程
三、半價層
四、X線束的質(zhì)量
五、濾過作用
六、散射的穿透作用
七、穿透
第四節(jié) X線的質(zhì)與量
一、X線波長與管電壓
二、X線的質(zhì)
三、X線的量
第五節(jié) X線的本質(zhì)
一、X線的微粒性
二、X線的波動性
三、X線的二象性及其統(tǒng)一
第六節(jié) X線的特性
一、物理效應
二、化學效應
三、生物作用
第三章 X線在物質(zhì)中的衰減
第一節(jié) X線的衰減
一、距離的衰減
二、物質(zhì)吸收的衰減
三、影響衰減的因素
四、物質(zhì)的X線衰減規(guī)律
第二節(jié) 單能射線在物質(zhì)中的衰減
第三節(jié) 連續(xù)射線在物質(zhì)中的衰減
一、連續(xù)射線在物質(zhì)中的衰減
二、X線的濾過
第四節(jié) 人體對X線的衰減
一、人體的構(gòu)成元素和組織密度
二、人體對X線的衰減
第四章 輻射損傷與X線防護
第一節(jié) 電離輻射對生物體的作用原理
一、概述
二、原發(fā)作用
三、繼發(fā)作用
第二節(jié) 影響電離輻射致生物效應的因素
一、電離輻射致生物效應的分類
二、影響輻射致生物效應的因素
第三節(jié) 電離輻射的遠后效應
一、致癌效應
二、放射性白內(nèi)障
三、永久不育
四、胎內(nèi)受照效應
五、遺傳效應
第四節(jié) 輻射劑量及其單位
一、吸收劑量及其單位
二、吸收劑量率及其單位
三、吸收劑量與照射量的關系
四、比釋動能和比釋動能率及其單位
五、吸收劑量、比釋動能及照射量之間的關系
六、當量劑量
七、有效劑量
八、集體當量劑量和集體有效劑量
第五節(jié) X線的防護
一、防護的基本原則
二、外照射防護的一般措施
三、外照射的屏蔽防護
四、外照射的個人防護
第五章 電子技術
第一節(jié) 半導體二極管
一、半導體基本知識
二、PN結(jié)的形成及特性
三、半導體二極管
四、特殊二極管
第二節(jié) 半導體三極管
一、三極管的結(jié)構(gòu)和類型
二、三極管的放大作用
三、三極管的特性曲線
四、三極管的主要參數(shù)
第三節(jié) 場效應管
一、結(jié)型場效應管
二、砷化鎵金屬一半導體型
三、金屬一氧化物一半導體型
第四節(jié) 單結(jié)晶體管與晶閘管
一、單結(jié)晶體管
二、晶閘管
第五節(jié) 電子放大
一、集成運算放大器
二、功率放大
三、反饋
第六章 光電子技術
第一節(jié) 概述
第二節(jié) 光的特性
一、光的傳播
二、光的反射與折射
三、光的吸收與散射
四、光的干涉與衍射
第三節(jié) 光的鏡向成像技術
一、概述
二、特點
三、光的度量
四、光的量子性
第四節(jié) 光電探測器
一、光電管
二、光電倍增管
三、光敏電阻
四、光敏二極管和光敏晶體管
五、光電池
第五節(jié) 集成光學
一、概述
二、平面光波導的結(jié)構(gòu)
三、平面光波導的性能
第七章 數(shù)字圖像基礎知識
第八章 數(shù)字圖像形成
第九章 數(shù)字圖像處理
第十章 數(shù)字圖像顯示技術
第十一章 數(shù)字圖像的評價
……
第二篇 CR成像技術
第十二章 CR系統(tǒng)的組成及其特性
第十三章 CR的成像原理
第十四章 CR的影像處理
第十五章 CR的圖像質(zhì)量控制
第十六章 CR的臨床應用及評價
第十七章 CR的驗收與性能檢測
第三篇 DR成像技術
第十八章 DR系統(tǒng)組成及其特性
第十九章 非晶硒平板探測器成像技術
第二十章 非晶硅平板探測器成像技術
第二十一章 CCD探測器成像技術
第二十二章 線掃描探測器成像技術
第二十三章 DR的特殊成像技術
第二十四章 DR操作技術
第二十五章 乳腺的DR成像技術
第二十六章 計算機輔助診斷
第四篇 醫(yī)用激光打印技術與PACS
第五篇 體位攝影技術
英中文對照