半導(dǎo)體器件物理（21世紀(jì)高等院校教材）

序言
前言
主要符號(hào)表
第一章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1.1 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
1.2 載流子的統(tǒng)計(jì)分布
1.3 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
1.4 載流子的散射
1.5　載流子的輸運(yùn)
1.6　非平衡載流子
第二章　PN結(jié)
2.1　熱平衡PN結(jié)
2.2　加偏壓的PN結(jié)
2.3　理想PN結(jié)的直流電流-電壓特性
2.4　空間電荷區(qū)的復(fù)合電流和產(chǎn)生電流
2.5　隧道電流
2.6　I-V特性的溫度依賴關(guān)系
2.7　耗盡層電容求雜質(zhì)分布和變?nèi)荻O管
2.8　小信號(hào)交流分析
2.9　電荷貯存和反向瞬變
2.10　PN結(jié)擊穿
第三章　雙極結(jié)型晶體管
3.1　雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)
3.2　基本工作原理
3.3　理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸
3.4　埃伯斯-莫爾方程
3.5　緩變基區(qū)晶體管
3.6　基區(qū)擴(kuò)展電阻和電流集聚
3.7　基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
3.8　晶體管的頻率響應(yīng)
3.9　混接π型等效電路
3.10　晶體管的開關(guān)特性
3.11　擊穿電壓
3.12　P-N-P-N結(jié)構(gòu)
3.13　異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
3.14　幾類常見的HBT
第四章　金屬-半導(dǎo)體結(jié)
4.1　肖特基勢(shì)壘
4.2　界面態(tài)對(duì)勢(shì)壘高度的影響
4.3　鏡像力對(duì)勢(shì)壘高度的影響
4.4　肖特基勢(shì)壘二極管的電流-電壓特性
4.5　肖特基勢(shì)壘二極管的結(jié)構(gòu)
4.6　金屬-絕緣體-半導(dǎo)體肖特基勢(shì)壘二極管
4.7　肖特基勢(shì)壘二極管和PN結(jié)二極管之間的比較
4.8　肖特基勢(shì)壘二極管的應(yīng)用
4.9　歐姆接觸
第五章　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
5.1　JFET的基本結(jié)構(gòu)和工作過程
5.2　理想JFET的I-V特性
5.3　靜態(tài)特性
5.4　小信號(hào)參數(shù)和等效電路
5.5　JFET的截止頻率
5.6　夾斷后的JFET性能
5.7　金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
5.8　JFET和MESFET的類型
5.9　異質(zhì)結(jié)MESFET和I-IEMT
第六章　金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
6.1　理想MOS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷區(qū)
6.2　理想MOS電容器
6.3　溝道電導(dǎo)與閾值電壓
6.4　實(shí)際MOS的電容-電壓特性
6.5　MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
6.6　等效電路和頻率響應(yīng)
6.7　亞閾值區(qū)
6.8　MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型
6.9　影響閾值電壓的其余因素
6.10　器件尺寸比例
第七章　太陽(yáng)電池和光電二極管
7.1　半導(dǎo)體中的光吸收
7.2　PN結(jié)的光生伏打效應(yīng)
7.3　太陽(yáng)電池的I-V特性
7.4　太陽(yáng)電池的效率
7.5　光產(chǎn)生電流和收集效率
7.6　提高太陽(yáng)電池效率的考慮
7.7　肖特基勢(shì)壘和MIS太陽(yáng)電池
7.8　非晶硅(a-Si)太陽(yáng)電池
7.9　光電二極管
7.10　光電二極管的特性參數(shù)
第八章　發(fā)光二極管與半導(dǎo)體激光器
8.1　輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合
8.2　LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過程
8.3　LED的特性參數(shù)
8.4　可見光LED
8.5　紅外LED
8.6　異質(zhì)結(jié)LED
8.7　半導(dǎo)體激光器及其基本結(jié)構(gòu)
8.8　半導(dǎo)體受激發(fā)射的條件
8.9　結(jié)型半導(dǎo)體激光器的特性
8.10　異質(zhì)結(jié)激光器
第九章　集成器件
9.1　雙極集成器件的隔離工藝
9.2　集成電路中的無源元件
9.3　雙極型反相器
9.4　集成注入邏輯
9.5　NMOS邏輯門電路
9.6　NMOS存儲(chǔ)器件
9.7　CMOS反相器
9.8　砷化鎵集成電路
第十章　電荷轉(zhuǎn)移器件
10.1　電荷轉(zhuǎn)移
10.2　深耗盡狀態(tài)和表面勢(shì)阱
10.3　MOS電容的瞬態(tài)特性
10.4　信息電荷的輸運(yùn)轉(zhuǎn)換效率
10.5　電極排列和CCD制造工藝
10.6　體內(nèi)(埋入)溝道CCD
10.7　電荷的注入、檢測(cè)和再生
10.8　集成斗鏈器件
10.9　電荷耦合圖像器件
參考文獻(xiàn)
附錄A　物理常數(shù)
附錄B　重要半導(dǎo)體的性質(zhì)
附錄C 硅、鍺和砷化鎵的性質(zhì)