半導(dǎo)體物理學(xué)

主要參數(shù)符號表
第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
§1.1半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
§1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
§1.3半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動有效質(zhì)量
§1.4本征半導(dǎo)體韻導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴
§1.3回旋共振
§1.6硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
§1.7III—V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
§1.8II—VI族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
習(xí)題
參考資料
第二章半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級
§2.1硅.鍺晶體中的雜質(zhì)能級
§2.21—V族化合物中的雜質(zhì)能級
§2.3缺陷.位錯能級
思考題及習(xí)題
參考資料
第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布
§3.1狀態(tài)密度
§3.2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
§3.3本征半導(dǎo)體的載流子濃度
§3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
§3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計分布
§3.6簡并半導(dǎo)體
補(bǔ)充材料：電子占據(jù)雜質(zhì)能級的幾率
習(xí)題
參考資料
第四章半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
§4.1載流子的漂移運(yùn)動遷移率
§4.2載流子的散射
§4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
§4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
§4.5玻耳茲曼方程電導(dǎo)率的統(tǒng)計理論
§4.6強(qiáng)電場下的效應(yīng)熱載流子
§4.7多能谷散射耿氏效應(yīng)
習(xí)題
參考資料
第五章非平衡載流子
§5.1非平衡載流子的注入與復(fù)合
§5.2非平衡載流子的壽命
§5.3準(zhǔn)費米能級
§5.4復(fù)合理論
§5.5陷阱效應(yīng)
§5.6載流子的擴(kuò)散運(yùn)動
§5.7載流子的漂移運(yùn)動,愛因斯坦關(guān)系式
§5.8連續(xù)性方程式
習(xí)題
參考資料
第六章p-n結(jié)
§6.1p-n結(jié)及其能帶圖
§6.2p-n結(jié)電流電壓特性
§6.3p-n結(jié)電容
§6.4p-n結(jié)擊穿
§6.5p-n結(jié)隧道效應(yīng)
習(xí)題
參考資料
第七章金屬和半導(dǎo)體的接觸
§7.1金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖
§7.2金屬半導(dǎo)體接觸整流理論
§7.3少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸
習(xí)題
參考資料
第八章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
§8.1表面態(tài)
§8.2表面電場效應(yīng)
§8.3MIS結(jié)構(gòu)的電容—電壓特性
§8.4硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
§8,5表面電導(dǎo)及遷移率
§8.6表面電場對p-n結(jié)特性的影響
習(xí)題
參考資料
第九章異質(zhì)結(jié)
§9.1異質(zhì)結(jié)及其能帶圖
§9.2異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)
§9.3異質(zhì)結(jié)在器件中的應(yīng)用
§9.4半導(dǎo)體超晶格
思考題及習(xí)題
參考資料
第十章半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象
§10.1半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)
§10.2半導(dǎo)體的光吸收
§10.3半導(dǎo)體的光電導(dǎo)
§10.4半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
§10.5半導(dǎo)體發(fā)光
§10.6　半導(dǎo)體激光
習(xí)題
參考資料
第十一章半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)
§11.1熱電效應(yīng)的一般描述
§11.2半導(dǎo)體的溫差電動勢率
§11.3半導(dǎo)體的珀耳帖效應(yīng)
§11.4半導(dǎo)體的湯姆孫效應(yīng)
§11.5半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率
§11.6半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的應(yīng)用
習(xí)題
參考資料
第十二章半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng)
§12.1霍耳效應(yīng)
§12.2磁阻效應(yīng)
§12.3磁光效應(yīng)
§12.4量子化霍耳效應(yīng)
§12.5熱磁效應(yīng)
§12.6光磁電效應(yīng)
§12.7壓阻效應(yīng)
§12.8聲波和載流子的相互作用
習(xí)題
參考資料
第十三章非晶態(tài)半導(dǎo)體
§13.1非晶態(tài)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
§13.2非晶態(tài)半導(dǎo)體中的電子態(tài)
§13.3非晶態(tài)半導(dǎo)體中的缺陷.隙態(tài)與摻雜效應(yīng)
§13.4非晶態(tài)半導(dǎo)體中的電學(xué)性質(zhì)
§13.5非晶態(tài)半導(dǎo)體中的光學(xué)性質(zhì)
§13.6a-Si：H的p－n結(jié)與金—半接觸特性
參考資料
附錄
附錄1常用物理常數(shù)和能量表達(dá)變換表
附表1－1　　常用物理常數(shù)表
附表1—2能量表達(dá)變換表
附錄2半導(dǎo)體材料物理性質(zhì)表
附表2—1族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2—21—V族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2—3II—VI族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2—4IV—VI族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2—5III—V族三元化合物半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
參考資料