微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)（第2版）

定　價(jià)：￥59.00

作　者：	（美）Stephen A. Campbell著；曾瑩等譯；曾瑩譯
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	國(guó)外電子與通信教材系列
標(biāo)　簽：	電子技術(shù)

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ISBN：	9787505383135	出版時(shí)間：	2003-01-01	包裝：	平裝
開本：	26cm	頁數(shù)：	615	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書系統(tǒng)地介紹了微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)，覆蓋了集成電路制造所涉及的所有基本單項(xiàng)工藝，包括光刻、等離子體和反應(yīng)離子刻蝕、離子注入、擴(kuò)散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長(zhǎng)、濺射和化學(xué)氣相淀積等。對(duì)每一種單項(xiàng)工藝，不僅介紹了它的物理和化學(xué)原理，還描述了用于集成電路制造的工藝設(shè)備。本書還介紹了各種先進(jìn)的工藝技術(shù)，如快速熱處理、下一代光刻、分子束外延和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積等。在此基礎(chǔ)上本書討論了如何將這些單項(xiàng)工藝集成為各種常見的集成電路工藝技術(shù)，如CMOS技術(shù)、雙極型技術(shù)和砷化鎵技術(shù)，此外本書還介紹了微電子制造的新領(lǐng)域即微機(jī)械電子系統(tǒng)及其工藝技術(shù)。本書可作為高等學(xué)校微電子專業(yè)本科生和研究生相應(yīng)課程的教科書或參考書，也可供與集成電路制造工藝技術(shù)有關(guān)的專業(yè)技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

作者簡(jiǎn)介

　　Stephen A. Campbell：明尼蘇達(dá)大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系教授兼明尼蘇達(dá)大學(xué)微技術(shù)實(shí)驗(yàn)室主任。無論是在工業(yè)界還是在大學(xué)實(shí)驗(yàn)室，他的斗導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域都有著廣泛的經(jīng)驗(yàn)。他的研究領(lǐng)域主要包括快速熱化學(xué)氣相淀積、高性能柵介質(zhì)、磁MEMS和納米結(jié)構(gòu)等。TOP目錄前言　刑法解釋困境及其出路　刑法解釋與刑法論證之別　研究刑法論證方法的意義　刑法論證方法研究的基本思路第一章刑法論證方法基礎(chǔ)問題　第一節(jié)　刑法論證界說　第二節(jié)　刑法論證理論述要　第三節(jié)　刑法論證方法概述第二章刑法語境論證模式　第一節(jié)　刑法語境論證模式界說　第二節(jié)　視角切換論證方法　第三節(jié)　刑法體系分析論證法第三章一體化刑法論證模式　第一節(jié)　一體化刑法論證模式概述　第二節(jié)　一體化刑法論證模式的基本方法　第三節(jié)　一體化刑法論證模式評(píng)析第四章刑法要素管理論證模式　第一節(jié)　概述　第二節(jié)　刑法要素關(guān)聯(lián)論證的基本方法　第三節(jié)　刑法要素關(guān)聯(lián)論證模式評(píng)析第五章西國(guó)內(nèi)法論證方法綜合運(yùn)用問題　第一節(jié)　刑法論證方法綜合運(yùn)用中的位階關(guān)系　第二節(jié)　刑法論證方法運(yùn)用中的主要制約因素　第三節(jié)　從注重“證實(shí)”到強(qiáng)化“證偽”主要參考文獻(xiàn)后記 TOP 其它信息裝幀：平裝頁數(shù)：613 版次：1版開本：16正文語種：中文

圖書目錄

第1篇綜述與題材
第1章微電子制造引論
1.1 微電子工藝：一個(gè)簡(jiǎn)單的例子
1.2 單項(xiàng)工藝與工藝技術(shù)
1.3 本課程教程
1.4 小結(jié)
第2章半導(dǎo)體襯底
2.1 相圖和固溶度
2.2 結(jié)晶學(xué)和晶體結(jié)構(gòu)
2.3 晶體缺陷
2.4 直拉法（Czochralski法）單晶生長(zhǎng)
2.5 Bridgman法生長(zhǎng)GaAs
2.6 區(qū)熔法單晶生長(zhǎng)
2.7 圓片的制備和規(guī)格
2.8 小結(jié)及未來趨勢(shì)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2篇單項(xiàng)工藝1：熱處理和離子注入
第3章擴(kuò)散
3.1 一維費(fèi)克擴(kuò)散方程
3.2 擴(kuò)散的原子模型
3.3 費(fèi)克定律的分析解
3.4 簡(jiǎn)單理論的修正
3.5 常見雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)
3.6 擴(kuò)散分布的分析
3.7 SiO2中的擴(kuò)散
3.8 擴(kuò)散系統(tǒng)
3.9 擴(kuò)散分布的SUPREM模擬
3.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章熱氧化
4.1 迪爾和格羅夫氧化模型
4.2 線性和拋物線速率系數(shù)
4.3 初始階段的氧化
4.4 SiO2的結(jié)構(gòu)
4.5 SiO2的特性
4.6 摻雜雜質(zhì)對(duì)氧化和多晶氧化過程的影響
4.7 氧化誘生堆垛層錯(cuò)
4，8 替代的柵絕緣層"
4.9 氧化系統(tǒng)
4.10 SUPREM氧化+
4.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章離子注入
5.1 理想化的離子注入系統(tǒng)
5.2 庫(kù)侖散射
5.3 垂直投影射程
5.4 溝道效應(yīng)和橫向投影射程
5.5 注入損傷
5.6 淺結(jié)的形成+
5.7 埋層介質(zhì)+
5.8 離子注入系統(tǒng)的問題和關(guān)注點(diǎn)
5.9 用SUPREM模擬注入的分布"
5.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章快速熱處理
6.1 灰體輻射，熱交換和光吸收
6.2 高強(qiáng)度光源和反應(yīng)腔設(shè)計(jì)
6.3 溫度測(cè)量
6.4 熱塑應(yīng)力
6.5 雜質(zhì)的快速熱激活
6.6 介質(zhì)的快速熱加工
6.7 硅化物和接觸的形成
6.8 其他的快速熱處理系統(tǒng)
6.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3篇單元工藝2：圖形轉(zhuǎn)移
第7章光學(xué)光刻
7.1 光學(xué)光刻概述
7.2 衍射
7.3 調(diào)制傳輸函數(shù)和光學(xué)曝光
7.4 光源系統(tǒng)和空間相干
7.5 接觸式／接近式光刻機(jī)
7.6 投影光刻機(jī)
7.7 先進(jìn)掩模概念
7.8 表面反射和駐波
7.9 對(duì)準(zhǔn)
7.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第8章光刻膠
8.1 光刻膠類型
8.2 有機(jī)材料和聚合物
8.3 DQN正膠的典型反應(yīng)
8.4 對(duì)比度曲線
8.5 臨界調(diào)制傳輸函數(shù)
8.6 光刻膠的涂敷和顯影
8.7 二級(jí)曝光效應(yīng)
8.8 先進(jìn)的光刻膠和光刻膠工藝
8.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第9章非光學(xué)光刻技術(shù)
9.1 高能柬與物體之間的相互作用
9.2 直寫電子束光刻系統(tǒng)
9.3 直寫電子束光刻概要和展望
9.4 X射線源
9.5 接近式X射線系統(tǒng)
9.6 薄膜型掩模版
9.7 投影式X射線光刻
9.8 投影電子束光刻（SCALPEL）
9.9 電子束和X射線光刻膠
9.10 MOS器件中的輻射損傷
9.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第10章真空科學(xué)和等離子體
10.1 氣體動(dòng)力學(xué)理論
10.2 氣體流動(dòng)及導(dǎo)率
10.3 壓力范圍和真空泵
10.4 真空密封和壓力測(cè)量
10.5 直流輝光放電
10.6 射頻放電
10.7 高密度等離子體
10.8 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第11章刻蝕
11.1 濕法刻蝕
11.2 化學(xué)機(jī)械拋光
11.3 等離子刻蝕基本分類
11.4 高壓等離子刻蝕
11.5 離子銑
11.6 反應(yīng)離子刻蝕
11.7 反應(yīng)離子刻蝕中的損傷十
11.8 高密度等離子體（HDP）刻蝕
11.9 剝離技術(shù)
11.10 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4篇單項(xiàng)工藝3：薄膜
第12章物理淀積：蒸發(fā)和濺射
12.1 相圖：升華和蒸發(fā)
12.2 淀積速率
12.3 臺(tái)階覆蓋
12.4 蒸發(fā)系統(tǒng)：坩鍋加熱技術(shù)
12.5 多組分薄膜
12.6 濺射簡(jiǎn)介
12.7 濺射物理
12.8 淀積速率：濺射產(chǎn)額
12.9 高密度等離子濺射
12.10 形貌和臺(tái)階覆蓋
12.11 濺射方法
12.12 特殊材料濺射
12.13 淀積膜內(nèi)的應(yīng)力
12.14 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第13章化學(xué)氣相淀積
13.1 一種簡(jiǎn)單的硅淀積CVD系統(tǒng)
13.2 化學(xué)平衡和質(zhì)量作用定律
13.3 氣體流動(dòng)和邊界層
13.4 簡(jiǎn)單CVD系統(tǒng)評(píng)價(jià)
13.5 常壓介質(zhì)CVD
13.6 熱壁系統(tǒng)中的介質(zhì)和半導(dǎo)體低壓CVD
13.7 介質(zhì)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（PECVD）
13.8 金屬CVD
13.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第14章外延生長(zhǎng)
14.1 圓片清洗和自然氧化物去除
14.2 氣相外延生長(zhǎng)的熱動(dòng)力學(xué)
14.3 表面反應(yīng)
14.4 摻雜劑的引入
14.5 外延生長(zhǎng)缺陷
14.6 選擇性生長(zhǎng)
14.7 鹵化物輸運(yùn)GaAs氣相外延
14.8 不共度和應(yīng)變異質(zhì)外延
14.9 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）
14.10 先進(jìn)的硅氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)
14.11 分子束外延技術(shù)
14.12 BCF理論+
14.13 氣態(tài)源MBE和化學(xué)束外延+
14.14 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5篇工藝集成
第15章器件隔離、接觸和金屬化
15.1 PN結(jié)隔離和氧化物隔離
15.2 LOCOS（硅的局部氧化）技術(shù)
15.3 溝槽隔離
15.4 絕緣體上硅隔離技術(shù)
15.5 半絕緣襯底
15.6 肖特基接觸
15.7 注入形成的歐姆接觸
15.8 合金接觸
15.9 多層金屬化
15.10 平坦化和先進(jìn)的互連工藝
15.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第16章 CMOS技術(shù)
16.1 基本長(zhǎng)溝道器件特性
16.2 早期MOS工藝技術(shù)
16.3 基本的3um工藝技術(shù)
16.4 器件等比例縮小
16.5 熱載流子效應(yīng)和漏極工程
16.6 用于堅(jiān)固氧化物的工藝
16.7 閂鎖效應(yīng)
16.8 淺源/漏和特定溝道摻雜
16.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第17章 GSASI藝技術(shù)
17.1 基本的MESFET工作原理
17.2 基本的MESFET工藝技術(shù)
17.3 數(shù)字電路工藝技術(shù)
17.4 單片微波集成電路技術(shù)
17.5 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）
17.6 光電子器件
17.7 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第18章硅雙極型工藝技術(shù)
18.1 雙極型器件回顧；理想與準(zhǔn)理想特性
18.2 二階效應(yīng)
18.3 雙極型晶體管的性能
18.4 早期的雙極型工藝技術(shù)
18.5 先進(jìn)的雙極型工藝技術(shù)
18.6 雙極型晶體管中的熱載流子效應(yīng)
18.7 雙極一CMOS兼容工藝技術(shù)（BiCMOS）
18.8 模擬雙極型工藝技術(shù)
18.9 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第19章微機(jī)電系統(tǒng)
19.1 力學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)
19.2 薄膜中的應(yīng)力
19.3 機(jī)械量到電量的變換
19.4 常見MEMS器件力學(xué)性質(zhì)
19.5 體微機(jī)械制造中的刻蝕技術(shù)
19.6 體微機(jī)械工藝流程
19.7 表面微機(jī)械制造基礎(chǔ)
19.8 表面微機(jī)械加工工藝流程
19.9 MEMS執(zhí)行器
19.10 大高寬比的微系統(tǒng)技術(shù)
19.11 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第20章集成電路制造
20.1 成品率的預(yù)測(cè)和追蹤
20.2 顆?？刂?br />20.3 統(tǒng)計(jì)過程控制
20.4 全因素試驗(yàn)和ANOVA
20.5 試驗(yàn)設(shè)計(jì)
20.6 計(jì)算機(jī)集成制造
20.7 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
附錄A 縮寫與通用符號(hào)
附錄B 部分半導(dǎo)體材料性質(zhì)
附錄C 物理常數(shù)
附錄D 單位轉(zhuǎn)換因子
附錄E 誤差函數(shù)的一些性質(zhì)
附錄F F數(shù)
附錄G SUPREM指令